国家知识产权局信息显示-▲◇，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为□“一种混气结构及薄膜沉积设备”的专利，公开号CN121344565A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种混气结构及薄膜沉积设备。混气结构包括…：混气腔，设有出气口；至少一个进气罐▽▲，被设于所述混气腔内，并包括多个相互独立的缓冲腔，其中，每一所述缓冲腔分别具有对应的单向开口；以及多根进气管路，其中，每一所述进气管路的第一端分别连接至少一个气源☆，而其第二端穿过所述混气腔的外壁，以伸入对应的缓冲腔，并向所述对应的缓冲腔输入气体▼◇•，以经由对应的单向开口向所述混气腔供气。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司◆，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业◆。企业注册资本50000万人民币○☆•。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线条，此外企业还拥有行政许可16个。
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